金属硅中的杂质会通过影响硅晶体结构、载流子传输效率、电池片工艺稳定性等机制，对光伏板的光电转换效率、可靠性和寿命产生多维度负面影响。以下是具体影响及原理：
一、金属杂质：直接降低载流子效率
1. 铁（Fe）、铜（Cu）、镍（Ni）等过渡金属
- 少子寿命骤降：
这类杂质在硅中形成深能级陷阱，捕获电子或空穴（少子），导致少子寿命大幅缩短。例如：- 铁含量超过 200ppm 时，少子寿命可能从 100μs 降至 10μs 以下，光电转换效率下降 2%-3%。
- 复合损失增加：
载流子复合加剧会导致：- 开路电压（Voc）下降：电荷收集效率降低，电压输出减少（每降低 100μs 少子寿命，Voc 可能下降 5-10mV）。
- 短路电流（Isc）减少：杂质散射阻碍载流子迁移，电流密度降低（如铁含量每增加 100ppm，Isc 可能下降 0.5mA/cm²）。
- 长期衰减风险：
金属杂质可能引发 “硅腐蚀” 或微裂纹，导致光伏板在长期使用中性能衰退加速（如首年衰减率从 2% 升至 3% 以上）。
2. 铝（Al）、钙（Ca）
- 晶体缺陷诱导：
铝、钙原子半径与硅差异大，易在晶体生长中引发位错、孪晶等缺陷。例如：- 铝含量超过 150ppm 时，位错密度可能从 10³ cm⁻² 增至 10⁴ cm⁻²，导致电池片效率下降 1%-2%。
- 工艺干扰：
钙可能与硅形成碳化硅（SiC）颗粒，破坏硅片平整度，导致镀膜工艺（如减反射膜）均匀性变差，反射率增加 2%-3%。
二、非金属杂质：干扰掺杂与晶体结构
1. 磷（P）、硼（B）
- 掺杂精度破坏：
磷（施主杂质）和硼（受主杂质）若残留于金属硅中，会干扰后续硅料的掺杂工艺。例如：- 磷含量超过 50ppm 时，n 型硅片的掺杂浓度可能超标，导致 PN 结结深异常，量子效率下降 5%-8%。
- 反向漏电风险：
硼含量过高会使 p 型硅片掺杂过度，PN 结反向击穿电压降低，电池片暗电流增加（如暗电流从 10nA/cm² 升至 50nA/cm²）。
2. 碳（C）、氧（O）
- 碳化硅（SiC）缺陷：
碳含量超过 50ppm 时，高温下易形成 SiC 颗粒，作为 “非活性中心” 阻碍载流子传输，填充因子（FF）可能下降 2%-4%。 - 氧化沉淀与翘曲：
氧含量过高（>1×10¹⁸ atoms/cm³）会形成氧化硅沉淀，导致硅片翘曲或断裂，碎片率从 2% 升至 5% 以上，影响组件良率。
三、碱金属杂质：威胁长期可靠性
1. 钠（Na）、钾（K）
- PID 效应（电势诱导衰减）：
碱金属离子在电场作用下迁移至电池片表面，破坏钝化层，导致效率快速衰减。例如：- 钠含量超过 10ppm 时，光伏板在潮湿环境下使用 1 年后，效率衰减可能从 3% 增至 8%。
- 腐蚀电极：
钾离子可能与银浆电极反应，形成导电性差的化合物，接触电阻增加 10%-20%，长期使用后功率下降明显。
